Wafer, not yet cut into chips, of gallium arsenide (GaAs) semiconductor material, consisting only of laser diode control circuits, providing an output current in a range of 10mA to 70mA at a power supply of -5 V(±l %), for use in the manufacture of goods of subheading 8542 30 70 contained in a housing bearing:
Rezina, še ne razrezana v čipe, iz polprevodniškega materiala galijevega arzenida (GaAs),, ki sestoji samo iz regulacijskega vezja za laserske diode, ki omogoča izhod 10mA do 70 mA, pri napajanju -5 V (+-1%), za uporabo v proizvodnji blaga iz tarifne podštevilke 8542 30 70, vsebovanega v ohišju, ki ima: